熟女俱乐部五十路二区av,又爽又黄禁片视频1000免费,国产卡一卡二卡三无线乱码新区,中文无码一区二区不卡αv,中文在线中文a

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm gaa

3nm gaa 文章 最新資訊

據報道三星押注4-7納米工藝，價格比臺積電高出30%，瞄準中國尚未進入的市場

  • 雖然英特爾已從 18A 轉向 14A 進行戰(zhàn)略權衡，據報道三星通過優(yōu)先考慮 2 納米和 4 納米而不是 1.4 納米做出了妥協(xié)，根據 ZDNet。同時，Chosun Biz 透露，這家陷入困境的半導體巨頭還計劃通過將這些節(jié)點的價格定價比臺積電低約 30%來提高 7 納米以下工藝的需求——這仍然是中國競爭對手無法企及的領域。Chosun Biz 報道稱，三星的 4 納米工藝旨在通過 SF4U 提升約 20%的能效來贏得訂單。據三星稱，SF4U 是一款高端 4 納米變體，采用光學縮小技術來
  • 關鍵字： 三星  3nm  晶圓代工  

臺積電美國3nm晶圓廠基建完工，量產時間表曝光

  • 據臺媒《工商時報》報道，臺積電為滿足客戶對美國制造需求的增長，正在加速推進其亞利桑那州晶圓廠的建設。供應鏈透露，臺積電亞利桑那州二廠（P2）已完成基建，預計將在2027年實現(xiàn)3nm制程的量產。目前，臺積電正根據客戶對AI芯片的強勁需求，加快量產進度，整體時間表較原計劃有所提前。供應鏈分析指出，臺積電此舉旨在回應客戶需求，并應對美國政府關稅政策的影響。據悉，亞利桑那州二廠的機臺最快將在明年9月進場安裝，首批晶圓預計在2027年下線。通常情況下，晶圓廠在完成基建后，還需要約兩年時間進行內部廠務調整，臺積電的推
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  晶圓廠  

特斯拉采用臺積電3nm工藝2026年量產HW5芯片

  • 據 Mydrivers 稱，特斯拉援引 Not a Tesla App 稱，據報道，特斯拉正準備與臺積電作為其代工合作伙伴生產其下一代 FSD（全自動駕駛）芯片——內部稱為 AI5 或 HW5。正如 Notebookcheck 所說，有傳言稱特斯拉計劃使用臺積電的 3nm （N3P） 工藝。正如報告所強調的那樣，該芯片預計將提供 2,000 到 2,500 TOPS 的性能，與 HW4 相比，代際飛躍了 4 到 5 倍。據韓國媒體 Ma
  • 關鍵字： 特斯拉  臺積電  3nm  HW5芯片  

三星的3nm良率停留在50%，遠低于臺積電的90%

  • 雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節(jié)點上獲得了牽引力（據報道來自任天堂的訂單），但它繼續(xù)在先進的 3nm 水平上苦苦掙扎。據韓國媒體 Chosun Biz 報道，即使經過三年的量產，其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏得大型科技公司的信任，Chosun Biz 報道稱，谷歌的 Tensor G5 正在轉向臺積電的 3nm，遠離三星。正如 9to5Google 所強調的那樣，據報道，這家搜索引擎巨頭已在未來 3 到 5 年內與臺積電鎖定了 Tenso
  • 關鍵字： 三星  3nm  良率  臺積電  

小米雷軍：芯片團隊已具備相當強的研發(fā)設計實力

  • 5 月 27 日消息，小米創(chuàng)辦人、董事長兼 CEO 雷軍今日早發(fā)文：“玄戒 O1 最高主頻 3.9GHz，這足以說明我們芯片團隊已經具備相當強的研發(fā)設計實力?！惫俜綌祿@示，小米玄戒 O1 處理器安兔兔跑分超過了 300 萬分，擁有 190 億個晶體管，采用了全球最先進的 3nm 工藝，芯片面積僅 109mm2。架構方面，小米玄戒 O1 采用了十核四叢集 CPU，擁有雙超大核、4 顆性能大核、2 顆能效大核、2 顆超級能效核，超大核最高主頻 3.9Hz，單核跑分超 3000 分，多核跑分超 9
  • 關鍵字： 小米  雷軍  芯片  玄戒 O1  處理器  ARM  3nm  

小米自研3nm“大芯片”已開始大規(guī)模量產

  • 今天，小米集團董事長雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1已開始大規(guī)模量產，搭載小米玄戒O1兩款旗艦，小米手機15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米將成為繼蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科后，全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設計3nm制程手機處理器芯片的企業(yè)。今年2月，聯(lián)發(fā)科技CEO蔡力行第四季度財報會議上表示，小米自研手機SoC芯片或將外掛聯(lián)發(fā)科基帶芯片。根據他的透露，ARM和小米正在促成一項AP芯片的研發(fā)項目，聯(lián)發(fā)科也有參與，并提供調制解調器芯片。此前據外媒WCCFtech報道，
  • 關鍵字： 小米  自研  3nm  芯片  

小米確認推3nm SoC，承諾10 年內投69億美元開發(fā)芯片

  • 小米最近在宣布其自主開發(fā)的智能手機 SoC 芯片 XRING 01 后引起了廣泛關注。據中國媒體《明報》報道，小米首席執(zhí)行官雷軍 5 月 19 日在微博上透露，該芯片采用 3nm 工藝制造，這標志著中國公司首次成功實現(xiàn) 3nm 芯片設計的突破。這家中國科技巨頭正在加大其芯片開發(fā)力度。據《華爾街日報》報道，小米計劃在至少 10 年內投資近 70 億美元用于芯片設計。創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官雷軍周一在微博上發(fā)文透露了這一投資數字。報告指出，小米發(fā)言人補充說，這項 500 億元人民幣（相當于 69.4 億美元）的投資
  • 關鍵字： 小米  3nm  SoC  

或有多個版本！又有小米自研芯跑分曝光：10核3nm設計、超驍龍8 Gen 3

  • 5月20日消息，雷軍之前已經宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一個代號，最終的成品或許會有多個版本。如果熟悉芯片設計的朋友應該都清楚，廠商在規(guī)劃一款芯片設計時，必然會有多款相關版本的衍生，所以這更像是一個大類，而非具體到一個型號。有網友發(fā)現(xiàn)，Geekbench 6.1.0上出現(xiàn)了小米新機的跑分成績，而主板信息顯示為"O1_asic"，從跑分上看，該機的單核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通驍龍8 Gen 3 的成績還要高一些，可以說表現(xiàn)亮眼。跑分頁面還顯示，該處理器的C
  • 關鍵字： 小米  自研芯  10核  3nm  超驍龍8 Gen 3  

雷軍發(fā)文確認：小米玄戒O1采用第二代3nm工藝制程

  • 5月19日，雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1即將亮相。小米將成為繼蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科后，全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設計3nm制程手機處理器芯片的企業(yè)。回顧了小米第一代自研手機SoC“澎湃S1”的失敗經歷，從2014年9月立項，到2017年正式發(fā)布，“因為種種原因，遭遇挫折”，暫停了SoC大芯片的研發(fā)，轉向了“小芯片”路線。包含了快充芯片、電池管理芯片、影像芯片、天線增強芯片等“小芯片”，在不同技術賽道中慢慢積累經驗和能力。直到2021年初，小米宣布造車的同時，還在內部重啟“大芯片
  • 關鍵字： 小米  玄戒  3nm  SoC  芯片  

印度，要設計3nm芯片了

  • 瑞薩電子將設計印度首款3nm 芯片
  • 關鍵字： 3nm  瑞薩  

高通新一代驍龍?zhí)幚砥骰虿捎门_積電3納米制程

  • 據外媒wccftech報道，高通計劃在2025年9月舉辦的年度驍龍技術論壇上推出新一代旗艦處理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。這款處理器預計采用臺積電第三代3納米節(jié)點制程N3P打造，相較于前代產品，其性能將有顯著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2將配備全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的處理速度預計達到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的兩倍以上。性能提升的部分原因在于暫存內存容量增加至16MB，使
  • 關鍵字： 高通  驍龍  3nm  

臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好

  • 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數據，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產到量產半年的時間周期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產開始就低得多了，
  • 關鍵字： 臺積電  N2 2nm  缺陷率  3nm  5nm  7nm  

臺積電推1.4nm 技術：第2代GAA晶體管，全節(jié)點優(yōu)勢2028年推出

  • 臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，新節(jié)點將依賴其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術提供進一步的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進入量產，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本?！癆14 是我們的全節(jié)點下一代先進芯片技術，”臺積電業(yè)務發(fā)展和全球銷售高級副總
  • 關鍵字： 臺積電  1.4nm  GAA  晶體管  

日本半導體巨頭Rapidus加速推進2nm工藝 預計2027年實現(xiàn)量產

  • 新興半導體公司 Rapidus 計劃在未來幾年大幅擴大其 2nm 研發(fā)力度，因為它看到了科技巨頭的巨大興趣。Rapidus 的 2nm 工藝采用 BSPDN 和 GAA 技術，使其成為業(yè)內獨一無二的實現(xiàn)。半導體供應鏈長期以來一直被臺積電等公司主導，而英特爾和三星代工廠等競爭對手也在努力鞏固自己的市場份額，因此還有很長的路要走。不過，據說日本領先的芯片制造公司 Rapidus 已加入尖端節(jié)點的競爭，據DigiTimes報道，該公司已經在日本北海道開發(fā)了一個專用設施，以盡快進入量產階段。據稱，Rapidu
  • 關鍵字： 日本半導體  Rapidus  2nm工藝  量產  BSPDN  GAA  

小米新款SoC或采用臺積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8

  • 去年末有報道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關的管制措施暫時沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
  • 關鍵字： 小米  SoC  3nm  自研芯片  臺積電  TSMC  
共184條 1/13 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473